【加】高密度プラズマエッチング(ICP-RIE)装置
※現在メンテナンス中のため，利用できません．
| 型式 | CE-300I （2011年導入） |
| メーカー | ULVAC |
| 主な仕様 | ・エッチングガス： Ar,Ar+CH4,Ar+H2,CF4,C3F8,CHF3,O2,SF6 ・アンテナRF ・バイアスRF （異方性エッチング） ・ガス圧，ガス流量，流量比 ・冷却He圧力，チラー温度 （基板温度） |
| 実績 | ■被エッチング材料 レジスト,Si,SiO2,TiO2,Pt ■選択比 SiO2：Si：レジスト＝1：(1/30)：(1/15) ■選択比 Si：SiO2＝1：(1/80) ■選択比 レジスト：TiO2＝1：(1/3) ■選択比 レジスト：SiO2＝1：(1/1.6) …改善の余地あり ■Ptレート ~1nm/11.5s using Ar |
| 利用申請先 | 宇都宮大学 機器分析センター |
| 技術的問合先 | 依田教員（装置管理者）→Contact |
